晶体振荡器作为高稳定的时钟源，是多种设备的关键部件。它被广泛应用在移动通信、无线电通信、工业测量等各种应用上。这些应用和设备高速、大量数据传输的趋势，使得高频晶体振荡器的需求不断增长。
基极接地的共基电容三点式晶体振荡器的输出频率由晶体谐振器和两个外接电容生成，它具有良好的短期稳定度。然而，在高频率范围，振荡回路的电容很小，晶体管的寄生参量，如极间电容、极间电阻等影响变大。这使得振荡器的稳定性下降。因此在电路设计中，
我们需要减小晶体管寄生参量的影响。这可以通过减小晶体管各端极之间的介入系数P 来实现。
在本文中，我们将先介绍典型的共基电容三点式晶体振荡器电路，然后介绍减小晶体管各端极之间的介入系数P 的方法，最后展示用该方案设计的433MHz SAW 振荡器。
共基电容三点式晶体振荡器电路具有良好的高频特性，适用于高频工作。随着振荡频率的提高，晶体管极间寄生参量的影响变大。我们通过减小晶体管各端极之间的接入系数，大大减小了其寄生参量的影响，使得振荡器的稳定性提高。
同时，我们从433MHz SAW 振荡器的设计中证实，改进的共基电容三点式晶体振荡器电路，对于高频范围具有良好的效果。我们将进一步研究提高这个电路稳定性的方法。
